Пермаллоевая аппликация

Cтраница 1

Для пермаллоевых аппликаций, не достигших насыщения ни в одной точке, справедливо соотношение - ЕГщ. [1]

Направление пермаллоевых аппликаций в сочетании с токопро-водящими шинами лежит в основе создания ЗУ первого поколения и образует накопительный массив по принципу одна аппликация - на один домен. Анализ существующих разработок чипов для накопителей доменных ЗУ, выполненных на пермаллоевых аппликациях, показывает, что практическим пределом емкости чипов при использовании традиционных методов продвижения доменов по этому принципу ( см. рис. 15.9 - 15.12) является емкость порядка 16 - 64 Мбит, причем этот предел определяется отнюдь не технологией изготовления аппликаций ( существующее литографическое оборудование позволяет изготавливать их с размерами 0 2 мкм), а главным образом ненадежностью токопро-водящих элементов чипа при диаметрах домена менее 1 мкм. [2]

Направление пермаллоевых аппликаций в сочетании с токопро-водящими шинами лежит в основе создания ЗУ первого поколения и образует накопительный массив по принципу одна аппликация - на один домен. Анализ существующих разработок чипов для накопителей доменных ЗУ, выполненных на пермаллоевых аппликациях, показывает, что практическим пределом емкости чипов при использовании традиционных методов продвижения доменов по этому принципу ( см. рис. 15.9 - 15.12) является емкость порядка 16 - 64 Мбит, причем этот предел определяется отнюдь не технологией изготовления аппликаций ( существующее литографическое оборудование позволяет изготавливать их с размерами 0 2 мкм), а главным образом ненадежностью токопро-водящпх элементов чипа при диаметрах домена менее 1 мкм. [3]

Доменопродвигающая П - структура из пермаллоевых аппликаций: Нск к Я, - магнитные поля смещения и управления, d - диаметр ЦМД; 6-схема перемещения ЦМД вдоль 7 [ - структуры. [4]

Итак, предложенная выше модель пермаллоевой аппликации дала возможность с помощью численного метода найти распределение намагниченности ненасыщенной полоски. Полученное распределение намагниченности качественно совпадает с экспериментальными результатами [9], однако расчетные значения полей, необходимые для насыщения полоски, выше экспериментальных значений. Очевидно, завышенные значения полей насыщения получились в результате того, что автор не учитывал поверхностную дивергенцию намагниченности аппликации при расчете собственного размагничивающего поля, а также вследствие одномерности выбранной модели. [5]

В свою очередь на распределение намагниченности пермаллоевой аппликации оказывают влияние многие факторы, в том числе внешнее управляющее поле, поле рассеяния ЦМД, поля соседних элементов аппликации и собственное размагничивающее поле аппликации. [6]

Весьма эффективно при создании ЦМД-генераторов объединение токовых и пермаллоевых аппликаций. [7]

В [10] рассматривается взаимодействие изолированного ЦМД и пермаллоевой аппликации Т - I-формы с учетом нелинейного распределения намагниченности под воздействием внешнего управляющего поля, вращающегося в плоскости аппликации. [8]

Последовательные положения домена при пульсации поля смещения под клиновидными пермаллоевыми аппликациями. [9]

Эксперименты показывают, что домен, находящийся под пермаллоевой аппликацией, которая имеет форму клиньев ( рис. 15.9), при пульсациях поля смещения перемещается следующим образом. Во время фазы расширения передняя граница домена расходится и захватывает широкий конец следующего клина, а во время фазы сжатия задняя граница домена соскальзывает с острия предыдущего клина. В результате таких пульсаций поля смещения домен получает однонаправленное движение. Направляющие полоски пермаллоя придают устойчивость домену при движении вдоль этих полосок. [10]

Перемещение магнитных до - [ IMAGE ] Перемещение магнитных доменов по Т - образным пермаллоевым менов по шевронным пермаллоевым аппликациям аппликациям. [11]

В домеиопродвигающих схемах второго класса продвижение ЦМД осуществляется по проводниковым и пермаллоевым аппликациям во вращающемся управляющем поле, при этом диаметр ЦМД сохраняется почти постоянным. [12]

Анализируются теоретические работы по исследованию магнитостатического взаимодействия между ЦМД и управляющей пермаллоевой аппликацией. Рассмотрен ряд физических моделей, описывающих распределение намагниченности в управляющих элементах под влиянием внешнего магнитного поля. Исследуется зависимость энергии взаимодействия от геометрических параметров системы ЦМД - управляющая структура. [13]

В работе было найдено распределение z - компоненты напряженности магнитостатического поля пермаллоевой аппликации Т-I-формы, усредненной по высоте магнитоодноосного кристалла h ( рис. 8, б, где / 100 мкм, Ъ 25 мкм, а 1 мкм, 2г - 35 мкм. [14]

В [18] ряды Фурье использовались для определения взаимодействия между ЦМД и пермаллоевой аппликацией. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5