Пермаллоевая аппликация

Cтраница 5

Зоны устойчивой работы устройств, выполненных на пластине ор-тоферрита Tm FeO3. [61]

Подобно магнитно-диодным, магнитно-транзисторным и тонкопленочным элементам, одной из основных характеристик устройств на ЦМД является зона ( область) устойчивой работы, позволяющая судить об их работоспособности при изменении внешних условий. Максимальное поле управления должно быть достаточным для намагничивания пермаллоевых аппликаций в продольном направлении до состояния насыщения. Как правило, у всех доменных устройств зона устойчивости по Яу достаточно большая. [62]

Организация БИС ЗУ на ЦМД. [63]

Зарождение ( генерация) ЦМД может происходить различными способами, например при пропускании по проводниковой петле импульса тока амплитудой в сотни миллиампер, достаточного для перемагничивания граната в данной локальной области пленки. Аннигиляция доменов осуществляется подачей импульса тока амплитудой 200 мА, длительностью 1 мкс и полярностью, противоположной полярности тока генерации ЦМД. Считывание ЦМД на практике происходит путем регистрации изменения магнитного сопротивления пермаллоевой аппликации специальной формы ( датчика) при прохождении через него домена во вращающемся магнитном поле. Микровольтовый сигнал такого датчика, включенного обычно в мостовую схему, в последующем усиливается. [64]

Страницы: 1 2 3 4 5