Пермаллоевая аппликация

Cтраница 4

При небольших q облегчается зарождение домена. Зарождение ЦМД происходит вследствие перемагничивания кристалла в локальной области поля, создаваемого или токовым контуром, или посредством пермаллоевых аппликаций, либо комбинацией обоих способов. [46]

Схема генератора ЦМД. [47]

Аннигилятор доменов предназначен для уничтожения ненужных ЦМД. Он, так же как генератор, может быть выполнен различным образом - с помощью токовых петель или пермаллоевых аппликаций. Аннигилятор в виде токовой петли располагают в том участке схемы, в котором в процессе работы требуется уничтожение доменов, что достигается пропусканием импульса тока, формирующего магнитное поле, приводящее к коллапсированию домена. Аннигилятор на пермаллоевых аппликациях идентичен по структуре генератору доменов, например аппликации, изображенной на рис. 8.5. Распространяясь по каналу, домен будет захвачен под аннигилятор и в процессе вращения под ним сольется с имеющимся там доменом. [48]

Схема генератора ЦМД. [49]

Аннигилятор доменов предназначен для уничтожения ненужных ЦМД. Он, так же как генератор, может быть выполнен различным образом - с помощью токовых петель или пермаллоевых аппликаций. Аннигилятор в виде токовой петли располагают в том участке схемы, в котором в процессе работы требуется уничтожение домеков, что достигается пропусканием импульса тока, формирующего магнитное поле, приводящее к коллапсированию домена. Аннигилятор на пермаллоевых аппликациях идентичен по структуре генератору доменов, например аппликации, изображенной на рис. 8.5. Распространяясь по каналу, домен будет захвачен под аннигилятор и в процессе вращения под ним сольется с имеющимся там доменом. [50]

Тип ЗУ Ломен-3 с одним автономным накопительным регистром. [51]

ЦМД, вдоль единственного регистра обеспечивается полем управления, вращающимся с тактовой частотой от 0 1 до 0 3 МГц, что обеспечивает скорость передачи данных от 0 1 до 0 3 Мбит / с. Считывание информации производится магниторезисторным датчиком ( см. рис. 15.20, в) с предварительным растяжением ЦМД с помощью шевронных пермаллоевых аппликаций. [52]

Способ продвижения ЦМД во вращающемся магнитном поле, образуемом парой ортогональных соленоидов, по которым пропускается переменный ток, предусматривает воздействие этого поля на намагничиваемые пермаллоевые аппликации с целью образования продвигающихся положительных и отрицательных полюсов. ЦМД отслеживает это перемещение, фиксируясь в текущие моменты времени в позициях с пониженной энергией. [53]

Аннигилятор доменов предназначен для уничтожения ненужных ЦАШ - Он, так же как генератор, может быть выполнен различным образом - с помощью токовых петель или пермаллоевых аппликаций. Аннигилятор в виде токовой петли располагают в том участке схемы, в котором в процессе работы требуется уничтожение доменов, что достигается пропусканием импульса тока, формирующего марнигясе поле, приводящее к коллапсированию домена. Аннигилятор на пермаллоевых аппликациях идентичен по структуре генератору доменов, например аппликации, изображенной на рис. 8.5. Распространяясь по каналу, домен будет захвачен под аннигилятор и в процессе вращения под ним сольется с имеющимся там доменом. [54]

Для создания логических и запоминающих устройств, используемых в качестве носителей информации ЦМД, необходимо решить ряд задач, среди которых важное место занимают вопросы управления движением ЦМД. Для перемещения ЦМД в заданном направлении и фиксации его в определенных положениях широко используют аппликации из тонких пермаллоевых пленок, с помощью которых создают локальные неоднородности магнитного поля. При взаимодействии ЦМД с пермаллоевой аппликацией домен стремится занять устойчивое положение, соответствующее минимуму энергии домена. Перемещением ЦМД в такой системе управляют с помощью плоского вращающегося магнитного поля, которое изменяет направление намагниченности в пермаллоевой аппликации. В качестве управляющих магнитных аппликаций используются [1-3] пермаллоевые структуры типа Т-I, Y-I, X-X и другой формы. Область устойчивой работы таких устройств и скорость продвижения цилиндрических доменов вдоль этих структур зависят от ряда факторов, в том числе от формы и геометрических размеров этих аппликаций. Основная цель теоретических и экспериментальных работ по изучению магнитостатического взаимодействия между ЦМД и управляющей аппликацией направлена на создание таких управляющих элементов, которые позволили бы увеличить плотность размещения информации, скорость продвижения ЦМД, область устойчивой работы схем продвижения ЦМД и тем самым повысить быстродействие и надежность логических и запоминающих устройств на ЦМД. [55]

Ряд ловушек, расположенных близко друг к другу ( на расстоянии меньше диаметра домена), образуют регистр. Цилиндрические магнитные домены можно перемещать ( продвигать) из одной ловушки в другую ( соседнюю), осуществляя таким образом сдвиг информации в регистре. Предложено множество различных конфигураций ловушек ( пермаллоевых аппликаций), от которых зависят параметры регистров. Основным методом продвижения ЦМД вдоль регистра является применение вращающегося магнитного поля, вектор напряженности Нц которого направлен параллельно поверхности. [56]

Схема токовых петель.| Схема продвижения ЦМД на пермаллоевых аппликациях клиновидной формы. [57]

ЦМД расширяется при уменьшении поля и сжимается при его увеличении. Возможные пределы изменения поля при условии сохранения ЦМД определяются так: нижняя граница - переходом ЦМД в полосовой домен; верхняя граница - полем коллапса. Если на пластину ( подложку) нанесена клиновидная пермаллоевая аппликация ( рис. 4.32), то при модуляции поля происходит следующее. [58]

Зоны устойчи. [59]

Подобно магнитно-диодным, магнитно-транзисторным и тонкопленочным элементам, одной из основных характеристик устройств на ЦМД явля-ется зона ( область) устойчивой работы, позволяющая судить об их работоспособности при изменении внешних условий. Максимальное поле управления должно быть достаточным для намагничивания пермаллоевых аппликаций в продольном направлении до состояния насыщения. Как правило, у всех доменных устройств зона устойчивости по Яу достаточно большая. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5