Пермаллоевая аппликация
Cтраница 2
 |
Процесс генерации доменов с использованием пермаллоевых аппликаций и вращающегося поля управления ( а, б, в, г, а также комбинированным способом ( д. [16] |
Весьма просто решается задача генерации цилиндрического домена путем деления исходного в устройствах с пермаллоевыми аппликациями и вращающимся полем. В таких устройствах генератор представляет собой пермаллоевую аппликацию круглой или прямоугольной формы, представляющую, по существу, магнитостатическую ловушку, под которой расположен исходный домен. При дальнейшем повороте управляющего поля домен растягивается в полосовой и под действием отрицательного магнитного заряда выступа и диска ( в) разрывается. Новый домен продвигается Т - образной структурой ( г), а исходный остается под диском. Для устойчивой работы та - SKoro генератора диаметр диска должен - г) быть близким к периоду схемы ( ср. [17]
 |
Процесс генерации доменов с использованием пермаллоевых аппликаций и вращающегося поля управления ( а, б, в, г, а также комбинированным способом ( д. [18] |
Весьма просто решается задача генерации цилиндрического домена путем деления исходного в устройствах с пермаллоевыми аппликациями и вращающимся полем. При дальнейшем повороте управляющего поля домен растягивается в полосовой и под действием отрицательного магнит-ного заряда выступа и диска ( в) разрывается. Новый домен продвигается Т - образной структурой ( г), а исходный остается под диском. Для устойчивой работы та-кого генератора диаметр диска должен г) быть близким к периоду схемы ( ср. [19]
Магнитооптические измерения в основном подтверждают допустимость использования представления о непрерывном характере распределения намагниченности в пермаллоевых аппликациях. Вместе с тем в реальных схемах экспериментально установлены особенности намагничивания аппликаций, неучет которых может повлечь за собой значительную погрешность в расчетных оценках. [20]
Кроме того формируются функциональные узлы управления ( генератор, переключатель-репликатор, переключатель обмена) и пермаллоевые аппликации для получения схем хранения, продвижения и детектирования ЦМД. [21]
 |
Продвижение домена с помощью пермаллоевых аппликаций Г - структуры и вращающегося внешнего поля. [22] |
Для повышения плотности хранения информации ( бит / см2) важно оптимизировать размеры и форму пермаллоевых аппликаций. На рис. 15.11 изображены аппликации Г - структуры с оптимальными соотношениями размеров. [23]
На рисунке 5.31 приведены результаты, демонстрирующие влияние самого цилиндрического магнитного домена на намагниченность того элемента пермаллоевой аппликации, под которым он находится. При этом следует учитывать, что измерения проводились с ЦМД в пластинке иттриевого ортоферрита - слабого ферромагнетика, спонтанная намагниченность которого очень мала. Показанный пунктиром / - элемент аппликации, находившийся под ортоферритной пластинкой, служил для ввода и вывода цилиндрического домена под / - элемент, находящийся сверху пластинки и изображенный сплошными линиями. [24]
 |
Процесс генерации доменов с использованием токо. [25] |
Деление исходного домена осуществляется - путем его предварительного растяжения и разрыва с помощью токопроводящих контуров или пермаллоевых аппликаций. [26]
На рисунке 5.31 приведены результаты, демонстрирующие влияние самого цилиндрического магнитного домена на намагниченность того элемента пермаллоевой аппликации, под которым он находится. При этом следует учитывать, что измерения проводились с ЦМД в пластинке иттриевого ортоферрита - слабого ферромагнетика, спонтанная намагниченность которого очень мала. Показанный пунктиром / - элемент аппликации, находившийся под ортоферритной пластинкой, служил для ввода и вывода цилиндрического домена под / - элемент, находящийся сверху пластинки и изображенный сплошными линиями. [27]
Преимущество ионно-имплантированных структур заключается в необходимости существенно меньших полей управления для продвижения ЦМД по сравнению с пермаллоевыми аппликациями. Другое преимущество состоит в том, что минимальные размеры аппликаций в этом способе продвижения могут превышать диаметр домена, а следовательно, они могут быть изготовлены методами обычной фотолитографии. [28]
При функционировании 3 - 3-схем совместно используются 2 различных физических эффекта: отталкивание доменов и изменение взаимодействия между пермаллоевыми аппликациями и отдельным доменом, вызванное неравномерным расположением шевроновых аппликаций. На рис. 7 показана одна из таких схем. Один домен, поступивший в верхний или средний канал, достигает выхода среднего канала. Два домена, поступившие одновременно в верхний и средний каналы, из-за магнитостатического отталкивания движутся каждый по своему каналу. Домен в нижнем канале движется по своему каналу независимо от остальных. [29]
Оно не оказывает практического действия на доменную структуру ЦМД, но вызывает периодическое перераспределение полюсов магнитных зарядов в пермаллоевых аппликациях. Действие указанных полюсов на ЦМД приводит к его перемещению слева направо, представленному на рис. 6.29. При одном обороте управляющего поля домен перемещается на один период Т - образной продвигающей схемы. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5