Пермаллоевая аппликация

Cтраница 3

Логические операции могут быть реализованы как с применением токовых петель для управления перемещением доменов, так и с применением пермаллоевых аппликаций. [31]

Логические операции могут быть реализованы как с применением токовых петел для управления перемещением доменов, так и с применением пермаллоевых аппликаций. [32]

Полученные в этой работе результаты в первом приближении без учета поля рассеяния ЦМД дают возможность оценить влияние формы и размеров пермаллоевых аппликаций на силу, действующую на ЦМД. Они, в частности, показывают, что Т-1-структура не является оптимальной. Необходимо разработать такую пермал-лоевую структуру, которая бы позволила сократить время продвижения домена вдоль структуры ( возможно, за счет более линейной траектории и равномерного ч движения домена) и тем самым повысить быстродействие системы. [33]

Логические операции могут быть реализованы как с применением токовых петель для упраЕ ления перемещением доменов, так и с применением пермаллоевых аппликаций. [34]

Аннигилятор доменов предназначен для уничтожения ненужных ЦАШ - Он, так же как генератор, может быть выполнен различным образом - с помощью токовых петель или пермаллоевых аппликаций. Аннигилятор в виде токовой петли располагают в том участке схемы, в котором в процессе работы требуется уничтожение доменов, что достигается пропусканием импульса тока, формирующего марнигясе поле, приводящее к коллапсированию домена. Аннигилятор на пермаллоевых аппликациях идентичен по структуре генератору доменов, например аппликации, изображенной на рис. 8.5. Распространяясь по каналу, домен будет захвачен под аннигилятор и в процессе вращения под ним сольется с имеющимся там доменом. [35]

Организация запоминающего устройства на ЦМД с ионно-имплантированной структурой продвижения. [36]

По сравнению с пермаллоевыми структурами продвижения ионно-имплантированные структуры позволяют на порядок увеличить информационную емкость чипов при одинаковых возможностях технологического оборудования для их изготовления, а также значительно снизить необходимую величину поля управления, которое в 3 - 4 раза меньше, чем поле, необходимое для структур на пермаллоевых аппликациях при ЦМД того же размера. [37]

Организация запоминающего устройства на ЦМД с и сын о-имплантирован пой структурой продвижения. [38]

По сравнению с пермаллоевыми структурами продвижения ионно-имплантпрованные структуры позволяют на порядок увеличить информационную емкость чипов при одинаковых возможностях технологического оборудования для их изготовления, а также значительно снизить необходимую величину поля управления, которое в 3 - 4 раза меньше, чем поле, необходимое для структур на пермаллоевых аппликациях при ЦМД того же размера. [39]

Весьма просто решается задача генерации цилиндрического домена путем деления исходного в устройствах с пермаллоевыми аппликациями и вращающимся полем. В таких устройствах генератор представляет собой пермаллоевую аппликацию круглой или прямоугольной формы, представляющую, по существу, магнитостатическую ловушку, под которой расположен исходный домен. При дальнейшем повороте управляющего поля домен растягивается в полосовой и под действием отрицательного магнитного заряда выступа и диска ( в) разрывается. Новый домен продвигается Т - образной структурой ( г), а исходный остается под диском. Для устойчивой работы та - SKoro генератора диаметр диска должен - г) быть близким к периоду схемы ( ср. [40]

Элементы продвижения ЦМД. а - шеврон. б - полудиск. [41]

В настоящее время широкое применение находят другие формы управляющих пермаллоевых аппликаций, в первую очередь асимметричные шевроны и полудиски ( рис. 8.73, а и б), которые обеспечивают более широкую область устойчивой работы и большее быстродействие. Важное достоинство таких продвигающих элементов состоит в том, что они имеют лишь один немагнитный зазор между элементами на один период продвижения ЦМД, размер которого менее критичен, чем для структуры на рис. 8.72, что уменьшает требования к разрешающей способности процессов фотолитографии. [42]

Направление пермаллоевых аппликаций в сочетании с токопро-водящими шинами лежит в основе создания ЗУ первого поколения и образует накопительный массив по принципу одна аппликация - на один домен. Анализ существующих разработок чипов для накопителей доменных ЗУ, выполненных на пермаллоевых аппликациях, показывает, что практическим пределом емкости чипов при использовании традиционных методов продвижения доменов по этому принципу ( см. рис. 15.9 - 15.12) является емкость порядка 16 - 64 Мбит, причем этот предел определяется отнюдь не технологией изготовления аппликаций ( существующее литографическое оборудование позволяет изготавливать их с размерами 0 2 мкм), а главным образом ненадежностью токопро-водящих элементов чипа при диаметрах домена менее 1 мкм. [43]

Направление пермаллоевых аппликаций в сочетании с токопро-водящими шинами лежит в основе создания ЗУ первого поколения и образует накопительный массив по принципу одна аппликация - на один домен. Анализ существующих разработок чипов для накопителей доменных ЗУ, выполненных на пермаллоевых аппликациях, показывает, что практическим пределом емкости чипов при использовании традиционных методов продвижения доменов по этому принципу ( см. рис. 15.9 - 15.12) является емкость порядка 16 - 64 Мбит, причем этот предел определяется отнюдь не технологией изготовления аппликаций ( существующее литографическое оборудование позволяет изготавливать их с размерами 0 2 мкм), а главным образом ненадежностью токопро-водящпх элементов чипа при диаметрах домена менее 1 мкм. [44]

Аннигилятор доменов предназначен для уничтожения ненужных ЦМД. Он, как и генератор, может быть выполнен различными способами - с помощью токовых петель или пермаллоевых аппликаций. Аннигилятор в виде токовой петли располагают в том участке схемы, где в процессе работы требуется уничтожение доменов, что достигается пропусканием импульса тока, формирующего магнитное поле, приводящее к коллапсированию домена. Аннигилятор на пермаллоевых аппликациях идентичен по структуре генератору доменов, например аппликации, изображенной на рис. 4.34. Распространяясь по каналу, домен будет захвачен под аннигилятор и в процессе вращения под ним сольется с имеющимся там доменом. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5