Эпитаксиальная пленка - кремний
Cтраница 2
Прежде чем переходить к описанию свойств эпитаксиальных пленок кремния рассмотрим результаты Катаока [235], который подробно изучил характеристики поликристаллических конденсатов. [16]
 |
Изоляция элементом ИМС диэлектрическим слоем ( а, б, в, г, изоляция элементов ИМС р - n переходом ( д, вид сверху после удаления оксидной пленки ( е. [17] |
На поверхности исходной кремниевой пластины р-типа выращивается эпитаксиальная пленка кремния / г-типа. [18]
 |
Изоляция элементом ИМС диэлектрическим слоем ( а, б, в, г, изоляция элементов ИМС р-п переходом ( д, вид сверху пос -. ле удаления оксидной пленки ( е. [19] |
На поверх-яости исходной кремниевой пластины р-типа выращивается эпитаксиальная пленка кремния я-типа. [20]
Технология процесса вполне аналогична описанной технологии выращивания эпитаксиальных пленок кремния как с точки зрения оборудования, так и самой сущности процесса. [21]
Для этого на поверхности сапфировой пластинки ( рис. 4.6) выращивается эпитаксиальная пленка кремния. Для создания изолированных островков кремния пленку подвергают избирательному травлению. Если пленка обладает дырочной проводимостью, то р - / г-переходы создаются диффузией донорных и акцепторных примесей. Основное преимущество этого метода состоит в возможности создания СВЧ интегральных схем, ибо сапфир может быть использован в качестве отличного диэлектрика в полосковых линиях, соединяющих приборы. Паразитные емкости в этом случае малы и составляют всего лишь 0 05 пф на один р-л-переход. [22]
На рис. 1 - 9 показана принципиальная схема установки для осаждения эпитаксиальной пленки кремния. Установка состоит из источника чистого водорода, системы насыщения тетрахлоридом, реакционной камеры и нагревателя. Для очистки от кислорода водород пропускают через ловушку 2, заполненную палладированным алун-дом. Для удаления водяных паров и конденсирующихся газов водород пропускают через вторую ловушку 3, заполненную алюмогелем или силикагелем и охлаждаемую жидким азотом. После этого очищенный водород проходит через сосуд 4 с тетрахлоридом кремния и обогащается его парами. Восстановление кремния происходит в реакционной камере, которая представляет собой кварцевую трубу, стенки которой охлаждаются проточной водой. [23]
Нанничи [226] удалось путем дальнейшего повышения степени разрежения до 10 - 8 - 10 - 9 мм рт. ст. получить эпитаксиальные пленки кремния при температуре 830 С. [24]
 |
Изменение плотности дефектов упаковки в зависимости от ориентации подложки ( штрихами показана теоретическая кривая. [25] |
Хотя по оценке Мендельсона [61] скорость поступления дырок к исходному агрегату вакансий значительно ниже, чем необходимо для срабатывания этого механизма, в свете рассматриваемых далее результатов Нотиса и Конрада [65] нельзя категорически отрицать его роль при образовании дефектов упаковки в эпитаксиальных пленках кремния. [26]
Кроме эпитаксиальных пленок кремния, получаемых на монокристальных подложках, для изготовления тонкопленочных устройств иногда используют различные методы наращивания слоев на поликристаллических или аморфных подложках с последующей их кристаллизацией или перекристаллизацией, позволяющей получить крупнокристаллические или даже монокристальные пленки. [27]
 |
Конструкция планарного транзистора. [28] |
Это обеспечивает стабильность характеристик транзистора. Применение эпитаксиальной пленки кремния дает возможность применять для основного тела транзистора кремний с малым удельным сопротивлением. [29]
 |
Хлоратор для получения SiCU хлорированием в расплаве солей. [30] |
Страницы: 1 2 3 4