Эпитаксиальная пленка - кремний
Cтраница 1
Эпитаксиальные пленки кремния перспективны в микроэлектронике; их применяют при изготовлении герметизированных сопротивлений, тонкопленочных конденсаторов, биполярных и униполярных транзисторов, интегральных схем бытового и специального назначения. [1]
 |
Схема установки для осаждения эпитаксиаль. [2] |
Эпитаксиальные пленки кремния осаждают на подложку методом восстановления тетрахлорида или трихлорсилана кремния водородом. [3]
В эпитаксиальных пленках кремния на шпинели часто образуется развитая система двойниковых прослоек. Природа дефектов выявляется с помощью электронно-микроскопического снимка реплики с поверхности утоненного участка пленки. [4]
В эпитаксиальных пленках кремния часто наблюдаются пирамидальные макроскопические выступы на поверхности, часто называемые трипирамидами, а также сопряженные с ними дефекты. [5]
Для осаждения эпитаксиальных пленок кремния, германия и гетероструктур кремний - германий обычно используются высокотемпературные ( Т 700 С) термоактивированные хлоридные ( с применением хлорсодержащих соединений кремния и германия) и гид-ридные ( с применением водородосодержащих соединений кремния и германия) процессы ХОГФ, реализуемые в трубчатых, колпаковых и планарных реакторах атмосферного и пониженного давления. [6]
Кроме того, эпитаксиальные пленки кремния должны удовлетворять весьма жестким требованиям по равномерности толщины и ровности их поверхности. Весь указанный комплекс параметров должен быть управляемым, и первой задачей является, очевидно, выбор метода нанесения эпитаксиальных пленок кремния, поскольку каждый возможный метод характеризуется своими, ему присущими, возможностями управления технологическими факторами процесса. [7]
 |
Конструкции полосковых линий. [8] |
Эти приборы формируются в эпитаксиальных пленках кремния, выращенных на сапфире. Хорошие ВЧ свойства достигаются за счет уменьшения размеров элементов структуры и отсутствия паразитных емкостей относительно подложки. Емкости внутренней обратной связи в этом случае также малы. [9]
Установлено [42, 43], что аморфизация эпитаксиальных пленок кремния на сапфире методом ионной имплантация с последующей рекристаллизацией и применением термического и лазерного отжигов уменьшает концентрацию структурных дефектов. [10]
Авторы работы [167] изучили структуру эпитаксиальных пленок кремния непосредственно в процессе их отжига в электронном микроскопе при температуре до 1200 С в вакууме 10 - 4 мм рт. ст. Ниже 700 С никаких изменений плотности дефектов упаковки не происходит. При более высоких температурах ( 700 - 1200 С)) наблюдается частичный отжиг дефектов. Он происходит путем мгновенного исчезновения наблюдаемого несовершенства. [11]
Как полупроводники в полупроводниковых приборах используют эпитаксиальные пленки кремния и германия. [12]
 |
Зависимость между концентрациями примесей фосфора а бора в источнике и осадке при иодидном методе наращивания и использовании в качестве источника смесей Si - Р и Si - В. [13] |
Процесс образования зародышей и степень совершенства эпитаксиальных пленок кремния определяются поверхностными условиями, кристаллографической ориентацией подложки, интенсивностью потока и температурой подложки. [14]
Страницы: 1 2 3 4