Пленка - карбид
Cтраница 3
На рис. 10 - 27 показано изменение сопротивления при нагреве в вакууме 5 - 10 - мм рт. ст. пленки карбида молибдена толщиной 200 А, имевшей после осаждения сопротивление WO ом. При нагреве до 200 С ( кривая 1 - 2) сколько-нибудь заметного необратимого изменения электрического сопротивления не наблюдается. [31]
С увеличением температуры толщина карбидной пленки может изменяться под действием двух противоположных факторов: 1) уменьшения толщины в результате растворения карбида титана в жидком титане; 2) роста пленки карбида титана в результате диффузии углерода в карбиде титана. [32]
Для определения оптимальных параметров процесса карбидизации титана в твердо-жидком состоянии выполнен теоретический расчет и проведены модельные эксперименты на сферических титановых частицах. Установлены условия нагрева, при которых пленка карбида титана, образующаяся при температуре ниже точки плавления титана ( 1668 С), не изменяет толщины при нагреве в интервале температур 1670 - 2100 С. [33]
На рис. 13 представлена зависимость толщины пленки карбида титана, образующейся на титановых сферических частицах радиусом 0 2 ( 1) и 0 5 мм ( 2) от продолжительности выдержки при температуре 1600 С. [35]
НЮ зв) пленка карбида молибдена образуется и при температурах ниже 250 С. С увеличением плотности тока электронного луча скорость роста пленки карбида молибдена возрастает и разница между скоростями роста при облучении и без него увеличивается, в то время как рост давления паров гексакарбопила молибдена в рабочей камере вызывает увеличение скорости роста пленки в обоих случаях. [36]
Установлено, что в зависимости от условий осаждения состав получаемой пленки может меняться от чистого молибдена до карбидов молибдена различной модификации. На основании электронографического анализа установлено [ 4Г) 5 ], что при облучении электронами подложки с температурой от нуля до 300 С в присутствии ларов гексакарбопила молибдена образуются пленки карбида молибдена кубической структуры. Отмечается, что при нагревании в вакууме 2 - К) 6 мм рт. ст. до температуры 650J С и выше из пленок МоС кубической структуры образуются пленки МоаС гексагональной структуры. Авторы считают, что пленки карбида молибдена кубической структуры па подложках с температурой пи / ко 400 С в настоящее время могут быть получены только методом непосредственного разложения электронным лучом. [37]
Режим осаждения пленок был следующим: плотность тока электронного луча 1 2 ма / см2, ускоряющее напряжение 500, давление паров Мо ( ( Х)) в составляло 10 3 мм рт. ст. При температурах от - 25 до - - 30 ( 1 ( рис. 7 - 14, область /) скорость роста пленки карбида молибдена экспоненциально падает с повышением температуры. Возможно, что в этой области скорость роста определяется разложением молекул Мо ( СО) в не на подложке, а в объеме рабочей камеры. При температурах подложки выше 100 С ( область III) скорость роста пленки увеличивается по мере повышения температуры подложки. [38]
Герметизация осуществляется холодной сваркой. Для обеспечения стабильной поверхности ПП и предотвращения выхода из строя транзистора из-за механич. Положит, результаты по защите поверхности ПП приборов дает пленка карбида кремния, полученная при низкой темп-ре. ПП приборов помещают поглотители влаги и газов: силикагель, гипс, хлористый кальций, молекулярное сито, стекло вайкор и др. вещества, поддерживающие пост, низкое давление паров воды ( напр. [39]
Наибольший интерес представляет использование для сварко-пайки силицированного графита в качестве материала присадочной проволоки титана и циркония. Благодаря повышенной термодинамической и энергетической устойчивости образующийся при сварко-пайке в диффузионной зоне на границе с графитом слой карбида циркония или титана служит отличным барьером, предохраняющим металл шва от загрязнения кремнием. Понижение микротвердости шва объясняется наличием на поверхности силицированного графита пленки карбида кремния, являющейся дополнительным барьером для проникновения углерода в наплавленный металл. [40]
При нагревании смеси урана с углем до 800 - 1200 С может образоваться один из карбидов урана, UC или UC2, в зависимости от взятого соотношения компонентов. При плавлении - урана в графитовом тигле, после образования на стенках тигля пленки карбида, эта реакция прекращается. [41]
Межпластинчатые расстояния имеют микроскопический размер, так что в конструкционных элементах материал может рассматриваться как анизотропный и гомогенный в соответствующем масштабе. Эти композиции относятся к конструкционным материалам, и поэтому не включают многие типы плакированных материалов, в которых слой может рассматриваться как конструкционный элемент с защитным от окружающей среды покрытием, являющимся вторым компонентом конструкционного материала. В качестве примера конструкционного слоистого композиционного материала можно привести композицию карбид бора - титан, в которой упрочняющим повторяющимся компонентом служат пленки карбида бора толщиной 5 - 25 мкм, полученные методом химического осаждения из паров. Другим примером являются эвтектические композиционные материалы, такие, как Ni - Mo и А1 - Си, в которых две фазы кристаллизуются в виде чередующихся пластинок. Оба этих эвтектических композиционных материала состоят из пластичной металлической матрицы, упрочненной более прочной пластинчатой фазой с более высоким модулем упругости. [42]
Установлено, что в зависимости от условий осаждения состав получаемой пленки может меняться от чистого молибдена до карбидов молибдена различной модификации. На основании электронографического анализа установлено [ 4Г) 5 ], что при облучении электронами подложки с температурой от нуля до 300 С в присутствии ларов гексакарбопила молибдена образуются пленки карбида молибдена кубической структуры. Отмечается, что при нагревании в вакууме 2 - К) 6 мм рт. ст. до температуры 650J С и выше из пленок МоС кубической структуры образуются пленки МоаС гексагональной структуры. Авторы считают, что пленки карбида молибдена кубической структуры па подложках с температурой пи / ко 400 С в настоящее время могут быть получены только методом непосредственного разложения электронным лучом. [43]
Замечено [122], что величина удельного сопротивления свежеосажденных пленок и пленок, обработанных термически при нагреве до 550J С, различается в 1 5 - 2 раза. Эти изменения в электрических свойствах пленок карбида молибдена при термообработке объясняются переходом пленок к более совершенной структуре. [44]
Растворение сетки карбидов и обеднение матрицы углеродом вызывают разупрочнение стали. Появление цементитных пленок по границам прежних зерен аустенита может служить причиной низкотемпературной ( - 260) отпускной хрупкости, исчезающей при повышении IGM-пературы отпуска вследствие обеднения матрицы углеродом. Выше 400 карбидные частицы внутри кристаллов а-фазы растворяются. Этот процесс сопровождается сфе-роидизацией и коагуляцией оставшихся частиц. Пленка карбидов по границам зерен утолщается за счет растворения мелких карбидов внутри зерен феррита. [45]
Страницы: 1 2 3 4