Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Уровень 1:		Уровень 2:		Уровень 3:
от: 0 -фаза до: Воздействие [сильное исключительно]		от: Воздействие[сильное наиболее] до: Восстановление — Двуокись — Олово		от: Дефект[случайный] до: Деформация [тепловая чисто]
от: Воздействие[сильное наиболее] до: Завод [нефтеперерабатывающий] — Союз [советский]		от: Восстановление— Двуокись— Титан до: Выброс — Пробка		от: Деформация[термическая] до: Деятельность — Фонд
от: Завод[специализированный] до: Кольцо [сферическое]		от: Выброс— Продукт— Горение до: Выходы — Фракция		от: Деятельность— Фонд[взаимный] до: Диаграмма [совмещенная]
от: Кольцо[телескопическое] до: Надежность [технологическая]		от: Выходы[хорошее] до: Гидроокись — Палладий		от: Диаграмма[соответствующая] до: Диаметр — Лунка
от: Надежность— Топливоснабжение до: Паста [грубая]		от: Гидроокись— Плутоний до: Грунт [закрепленный]		от: Диаметр— Луч[электронный] до: Диамин [ароматический]
от: Паста[густая] до: Принтер [сетевой]		от: Грунт[закрытый] до: Движение [истинное]		от: Диамин[другой] до: Диверсификация — Цена
от: Принтер[струйный] до: Результат — Округление		от: Движение— Источник до: Дефект [сложный]		от: Диверсификация[эффективная] до: Динамограф [гидравлический]
от: Результат[округленный] до: Способы — Заполнение		от: Дефект[случайный] до: Диффузия [вихревая]		от: Динамограф[глубинный] до: Диск [нужный]
от: Способы— Захват до: Успех — Продукт		от: Диффузия— Влага до: Доход [смешанный]		от: Диск[обогреваемый] до: Диссоциация — Карбонат
от: Успех— Проект до: Ящур		от: Доход[собственный] до: Завод [нефтеперерабатывающий] — Союз [советский]		от: Диссоциация— Карбонат— Кальций до: Диффузия [вихревая]

Дислокация — Знак [противоположный] ... Дислокация [скользящая]

Дислокация — Знак [противоположный]

Дислокации противоположного знака, порождаемые при этом источником, и дислокации в скоплении будут взаимно уничтожаться, что приведет к падению т и при т /: ткр t работа источника прекратится. Случай т ткр т может возникнуть при достаточно больших пластических деформациях сдвига. ...

Дислокация [избыточная]

Избыточные дислокации одного знака, не встретившиеся с дислокациями противоположного знака, под влиянием упругого взаимодействия образуют границы, перпендикулярные плоскости скольжения и не вызывающие появления дальнодействующих полей напряжения. ...

Дислокация [краевая]

Краевая дислокация может быть представлена как линия ( край) экстраплоскости, которая вставлена в решетку ( см. рис. 1.22, а, кубическая решетка [13]) или изъята из нее. В пространстве, окружающем краевую дислокацию, решетка искажена за счет вставленного ( или отсутствующего) слоя атомов, составляющего экстра-плоскость. ...

Дислокация [линейная]

Линейные дислокации обладают большой подвижностью и при сдвигающем напряжении порядка 10 кПа уже приходят в движение. Например, краевая дислокация, изображенная на рис. 7.14, а, придет в движение и плоскость 4, содержащая краевую дислокацию, поменяется местами с плоскостью 3, вследствие того что атомы в плоскости 3, лежащие ниже дислокации, обозначаемой знаком, сместятся влево, а оставшиеся на месте атомы этой плоскости образуют дислокацию, смещенную вправо на одно межатомное расстояние. Эти малые шаги смещения дислокации представляют собой элементарные акты пластической, уже необратимой деформации. ...

Дислокация — Несоответствие

Дислокации несоответствия в эпита-ксиальных пленках полупроводников, насколько нам известно, специально не изучались. Эмик и др. [160], исследуя эпитаксию CaAs на Ge, пришли к выводу, что плотность дислокаций на поверхности германиевой подложки ( 103 см-2) не изменяется после наращивания арсенида галлия и что, следовательно, поверхность подложки не аккомодирует с растущим на ней слоем, как это следовало бы ожидать из теории ван дер Мерве. Однако недостаточность сведений не позволяет считать этот вывод однозначным. ...

Дислокация [новая]

Новые дислокации, как пузырьки при кипении жидкости, возникают в результате присутствия примесей или дефектов, которые закрепляют концы линии дислокации. Под влиянием напряжения дислокация не может двигаться, так как в этом случае две ее точки закреплены. В результате под действием напряжения дислокация начинает выгибаться. Это означает, что она перестает быть краевой дислокацией и в ней появляются винтовые составляющие. Так, возникающая петля способна привести к образованию дислокаций. Представления о дислокационных дефектах привлекаются для объяснения процессов построения границ блоков и малоугловых границ зерен. ...

Дислокация [одиночная]

Одиночные дислокации и скопления дислокаций в галогенидах серебра могут быть декорированы и обнаружены путем выделения серебра в результате освещения. В табл. 11.5 приведены различные методы декорирования кристаллов. ...

Дислокация [отрицательная]

Отрицательная дислокация ( рис. 260, б) соответствует случаю, когда верхняя половина кристалла растянута, нижняя сжата. Тут же на рисунке показаны значки, которыми изображают положительную и отрицательную дислокации. Поэтому не имеет смысла говорить о знаке дислокации, если эта дислокация одна: знак существен, если рядом есть другая дислокация. Силы упругого взаимодействия между дислокациями ( см. § 60) зависят от знака дислокации: одноименные дислокации отталкиваются, разноименные притягиваются. ...

Дислокация [пликативная]

Пликативные дислокации возникают преимущественно в результате горизонтальных движений земной коры или движений по направлениям, близким к горизонтальным, а дизъюнктивные - главным образом в результате вертикальных движений или движений по направлениям, близким к вертикальным. Пликативные дислокации очень часто сопровождаются дизъюнктивными и наоборот. ...

Дислокация [подвижная]

Подвижные дислокации могут также механически разрушать защитную пленку в местах своего: выхода на поверхность. ...

Дислокация [полная]

Полные дислокации, образующиеся в матрице, препятствуют росту двойников в длину и ширину, и он со временем прекращается. Противодействие иногда бывает достаточным, чтобы локальные напряжения увеличились до величин, необходимых для зарождения новых двойников, которые затем растут вследствие механохимического растворения области накола. ...

Дислокация [простая]

Простая дислокация иллюстрируется модельным рис. 6.6. Как видите, сущность дефекта заключается в том, что в кристалле существуют места, содержащие как бы одну лишнюю атомную плоскость. Пунктирная линия на рис. 6.6, а разделяет два блока. Верхняя часть кристалла сжата, а нижняя - растянута. ...

Дислокация [разноименная]

Разноименные дислокации, лежащие в одной плоскости скольжения, в соответствии с формулой ( 47) притягиваются и аннигилируют: две экстраплоскости сливаются в единую полную атомную плоскость. ...

Дислокация [растянутая]

Растянутые дислокации не могут иметь восходящего движения и поэтому не могут перемещаться из своей плоскости путем поперечного скольжения. ...

Дислокация [расщепленная]

Расщепленная дислокация может скользить только в плоскости дефекта упаковки, так как плоскость скольжения должна содержать вектор Бюр-герса скользящей дислокации, а две частичные винтовые дислокации не лежат на одной прямой и определяют единственную плоскость скольжения, содержащую эти частичные дислокации. ...

Дислокация — Решетка

Дислокации решетки могут быть также причиной нерезонансного поглощения звука релаксационного типа. Кроме того, они приводят к потерям на гистерезис, которые не зависят от частоты, но являются функцией амплитуды деформации. ...

Дислокация — Решетка [кристаллическая]

Дислокации кристаллических решеток, которые могут иметь различные формы, ответственны за механические свойства твердых тел; ковкость и хрупкость. Такие дислокации появляются при нарушении правильности упаковки решетки атомов или ионов. Это может произойти по разным причивам. Одной из возможных причин является то, что рост кристаллов происходит так быстро, что атомы не имеют достаточно времени, чтобы занять положения с низшей потенциальной энергией и удержаться в этом положении до отложевня следующего слоя атомов. Другой причиной может быть присутствие примесного атома, который в непосредственной близости от себя искажает решетку. ...

Дислокация [ростовая]

Ростовые дислокации в синтетических кристаллах кварца были впервые обнаружены и исследованы методами избираль-ного травления, термического декорирования, а также при оценке оптической однородности наросшего материала по теневым проекциям. Было установлено, что ростовые дислокации ориентированы почти нормально к поверхности роста. В пирамиде с они образуют расходящиеся в пределах до 25 пучки. ...

Дислокация [саратовская]

Саратовские дислокации имеют почти замкнутую форму, образованную линейными зонами поднятий. Группы поднятий составляют флексуры с крутыми крыльями, обращенными в сторону обрамляющих впадин. Наиболее выражена Елшано-Сергиевская флексура субширотного простирания. Карамышская впадина протягивается с северо-запада на юго-восток и разделяет Саратовские дислокации и Жирновско-Линевскую приподнятую зону Доно-Медведицкого вала. Во впадине выделяются Урицко-Карамышская структурная зона, Дмитриевско-Рыбушанский и Ба-гаевско - Горючкинский валы. ...

Дислокация [сидячая]

Сидячая дислокация как бы блокирует движение других дислокаций, являясь стопором для их движения. Отсюда следует, что взаимодействие дислокаций может мешать процессу их движения. ...

Дислокация [скользящая]

Скользящая дислокация вынуждена останавливаться у этих границ, поскольку в соседних зернах ( субзернах) плоскость скольжения имеет другую ориентацию. ...