Термическое окисление - кремний - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
"Человечество существует тысячи лет, и ничего нового между мужчиной и женщиной произойти уже не может." (Оскар Уайлд) Законы Мерфи (еще...)

Термическое окисление - кремний

Cтраница 1


1 Зависимость толщины х слоя окиси кремния от времени и температуры окисления в атмосфере сухого кислорода.| Зависимость толщины х слоя окиси кремния от времени и температуры окисления в атмосфере водяного пара. [1]

Термическое окисление кремния может выполняться в однозонных диффузионных печах.  [2]

Термическое окисление кремния является одним из наиболее технологичных и широко применяемых на практике методов. Этот процесс проводят в различных окислительных средах: сухом и увлажненном кислороде, водяном паре при атмосферном и повышенном ( до 500 атм) давлениях. Часто используют комбинированные режимы окисления, приводящие к образованию беспористых окисных слоев сравнительно большой толщины с хорошими электрическими свойствами, которые, к тому же, можно варьировать в определенных пределах. Иногда для ускорения термического окисления прибегают к использованию активаторов. Как правило, термическое окисление проводят в проточных системах, но иногда используют и оксидирование в герметичных реакторах, выдерживающих высокие давления. Однако эти способы не лишены некоторых недостатков. Так, при создании толстых ( 2 - 3 мкм) изолирующих пленок ( при изготовлении ИС с диэлектрической изоляцией) эти методы неприемлемы, поскольку уже при толщине окисла порядка 1 5 мкм скорость, роста пренебрежимо мала.  [3]

Термическое окисление кремния является одним из наиболее технологичных и широко применяемых на практике методов. Этот процесс проводят в различных окислительных средах: сухом и увлажненном кислороде, водяном паре при атмосферном и повышенном ( до 500 атм) давлениях. Часто используют комбинированные режимы окисления, приводящие к образованию беспористых окисных слоев сравнительно большой толщины с хорошими электрическими свойствами, которые, к тому же, можно варьировать в определенных пределах. Иногда для ускорения термического окисления прибегают к использованию активаторов. Как правило, термическое окисление проводят в проточных системах, но иногда используют и оксидирование в герметичных реакторах, выдерживающих высокие давления. Однако эти способы не лишены некоторых недостатков. Так, при создании толстых ( 2 - 3 мкм) изолирующих пленок ( при изготовлении ИС с диэлектрической изоляцией) эти методы неприемлемы, поскольку уже при толщине окисла порядка 1 5 мкм скорость роста пренебрежимо мала.  [4]

Анализируя механизм термического окисления кремния, Ямазаки [113] приходит к выводу, что из-за неравномерного фронта окисления и избыточной концентрации атомов Si вблизи границы раздела кремний-оксид возможно образование микроскопических кластеров самого кремния. При высокой скорости окисления ( - 1 нм мин 1) иа границе раздела возникали кластеры Si размером 1 5 - 5 нм, частично погребенные в кремниевую матрицу.  [5]

В процессе термического окисления кремния в его приповерхностной области помимо генерации собственных дефектов ( типарй-центров) происходит существенное перераспределение примесных атомов. При термообработке примесные атомы фосфора диффундируют из объема кремния в его приповерхностную область, приводя к инверсии типа проводимости.  [6]

7 Общий вид кинетической кривой термического окисления кремния при Т const.| Линеаризация кинетических кривых термического окисления кремния. [7]

Таким образом, термическое окисление кремния в технологически приемлемых интервалах температуры и времени выращивания в проточных системах приводит к образованию пленок предельной толщины. Так, при температуре порядка 1200 С невозможно получить термический SiO2 на кремнии толщиной более примерно 1 5 мкм.  [8]

9 Схема установки для окисления в сухом кислороде. [9]

Схема установки для термического окисления кремния в кислороде показана на рис. 8.4. Установка состоит из печи сопротивления 5, применяемой обычно для проведения процесса диффузии примеси. В рабочий канал печи помещают реактор 4, выполненный из оптического плавленого кварца. В подающую магистраль включены вентили-натекатели для регулирования расхода кислорода и ротаметр для измерения его расхода. Скорость потока газа составляет обычно несколько десятков литров в час.  [10]

Рассмотрим детально механизм термического окисления кремния и кратко остановимся на других способах получения диэлектрических пленок на поверхности полупроводников.  [11]

Другим явлением, характерным для термического окисления кремния, является присутствие в пленке окисла связанного положительного заряда. Предполагается, что причина этого заключается в наличии свободных связей у атомов кремния вблизи границы раздела SiC - Si из-за недостатка кислорода, в результате чего возникают положительные ионы кремния. Положительный пространственный - заряд в пленке окисла способен изменить концентрацию подвижных носителей в поверхностном слое кремния: отталкивать дырки в глубь области и притягивать электроны к поверхности раздела.  [12]

Другим явлением, характерным для термического окисления кремния, является присутствие в пленке окисла связанного положительного заряда. Предполагается, что причина этого заключается в наличии свободных связей у атомов кремния вблизи границы раздела SiC - Si из-за недостатка кислорода, в результате чего возникают положительные ионы кремния. Положительный пространственный - заряд в пленке окисла способен изменить концентрацию подвижных носителей в поверхностном слое кремния: отталкивать дырки в глубь области и притягивать электроны к поверхности раздела.  [13]

Пленки двуокиси кремния, полученные термическим окислением кремния или осажденные методом ВЧ распыления чаще всего травятся буферными растворами фтористоводородной кислоты. Обычно травление осуществляется смесью 40 % - ного ( по весу) раствора МЩР с концентрированной ( 48 %) HF. Соотношения, как правило, изменяются в пределах от 9 до 12 объемн. Скорости травления термически выращенного окисла и - высококачественных пленок, полученных методом ВЧ распыления, одинаковы и увеличиваются по мере увеличения содержания свободной кислоты.  [14]

15 Основные этапы формирования биполярной структуры с изоляцией термическим окислом. [15]



Страницы:      1    2