Транзистор [сплавной германиевый] ... Транзит - Навигатор. Большая Энциклопедия Нефти и Газа.

БЭНГ

Чистая информация !




Транзистор [сплавной германиевый] ... Транзит

Транзистор [сплавной германиевый]

Германиевые сплавные транзисторы р-п - р МП39Б, МП40А, МП41А применяются для работы в схемах усиления НЧ и выпускаются в металлическом корпусе ( рис. 56, а-в) со стеклянными изоляторами и гибкими выводами, массой 2 5 г, с диапазоном рабочих температур от - 60 до 70 С. ...

Транзистор [сплавной мощный]

Мощные сплавные транзисторы ( рис. 6 21) отличаются от мало - МОЩНБТХ увеличенной площадью р - - перехода. Для улучшения тешюотвода от коллектора 1 в стальной фланец ложки 7 вставляют медный вкладыш W, к которому крепится коллектор 12, Для уменьшения неоднородности тока по толщине базы используют кольцевую геометрию вывода эмиттера 9, а вывод базы / / имеет форму диска. ...

Транзистор — Схема

Транзисторы схемы TL и Т3 управляются принудительно от сигналов задающего генератора прямоугольной формы стабильной частоты. Транзисторы Т j и Г4 переключаются под действием сигнала, снимаемого с дополнительных обмоток насыщающегося трансформатора ТрН, который в отдельных случаях может служить выходным трансформатором преобразователя. При насыщении сердечника трансформатора верхний транзистор запирается и ток нагрузки циркулирует через возвратный диод ( Д1 или Д2) и открытый нижний транзистор, образуя паузу в выходном напряжении преобразователя. Конденсаторы С1 и С2 обеспечивают активное запирание транзисторов Т2 и Тг на время этой паузы. Особенностью схемы является ее способность работать на нагрузку активно-индуктивного характера. ...

Транзистор — Тип

Транзистор типа П305А включен в схему с общим эмиттером. ...

Транзистор — Тип [данный]

Транзисторы данного типа имеют гарантированное минимальное значение параметра hFE 20 с разбросом 30 % для комнатной температуры 25 С и токовой нагрузки 1 А. При управляющем базовом токе / в 0.25 А это обеспечивает гарантированное насыщение транзистора ( VBE ( sat) 1 В, VCE ( sat) 0.4 В) во всем диапазоне токовой нагрузки. ...

Транзистор — Тип [различный]

Транзисторы различных типов входят в схемы электронных усилителей. ...

Транзистор [германиевый] — Тип

Германиевые транзисторы типов П207 - П208А должны - прикрепляться к теплоотводящей панели с помощью двух шпилек. При использовании транзисторов в предельных режимах рекомендуется применение водяного охлаждения из расчета не менее 1 5 л / лшм. ...

Транзистор [кремниевый] — Тип

Кремниевые транзисторы типа КТ315, используемые в радиовещательных приемниках и радиолах, имеют значение рс. Отличительной особенностью их является то, что они имеют высокую температурную стабильность и могут быть использованы как в каскадах высокой, так и низкой частоты. ...

Транзистор [полевой] — Тип

Полевой транзистор типа BF256B решает две задачи. Во-первых, он обеспечивает высокоомный вход частотомера и, во-вторых, согласует низкоомный вход следующего за ним операционного усилителя типа ТАА761 или ТАА861 с высокоомным входом частотомера. ...

Транзистор [тонкопленочный]

Тонкопленочные транзисторы не имеют термических ограничений до тех пор, пока не превышен критерий, равный нескольким сотням мегагерц. Хотя рассеяние мощности для оценки верхнего предела gm не является единственной предпосылкой, однако авторы использовали этот критерий для разбраковки экспериментальных приборов. ...

Транзистор [точечно-контактный]

Точечно-контактные транзисторы отличаются от плоскостных конструкций и принципом действия. ...

Транзистор [точечный]

Точечные транзисторы, в которых выполняются точечные контакты полупроводниковых примесных проволочек, являющихся эмиттером и коллектором, с базовым слоем, имеют ограниченное применение. ...

Транзистор — Триггер

Транзисторы триггера выбираются по критической частоте в соответствии с этой формулой. ...

Транзистор [тянутый]

Тянутый транзистор изготавливается из прямоугольного стержня ( рис. 1 - 2), отрезанного от германиевого кристалла, вытянутого из расплава, к которому были добавлены соответствующие примеси. Эмиттерные и коллекторные контакты присоединяют к концам полупроводникового стержня, а базовый контакт присоединяется к области базы, расположенной между областями эмиттера и коллектора. Затем к обоим шарикам присоединяются эмиттерные и коллекторные контакты, а базовый контакт присоединяется к пластинке. ...

Транзистор [униполярный]

Униполярный транзистор во включенном состоянии может пропускать электрический ток в обоих направлениях, что позволяет строить различного типа мультиплексоры для коммутации аналоговых сигналов и другие схемы переключения. ...

Транзистор [управляющий]

Управляющие транзисторы VTn3, VT lt имеют канал л-типа. В режиме хранения элемент памяти потребляет ничтожно малую мощность ( десятки пиковатт), что является важнейшим преимуществом БИС памяти на комплементарных структурах. ...

Транзистор — Усилитель

Транзисторы усилителя работают в ключевом или ждущем режиме, и в этом случае почти все напряжение питания падает на нагрузке. ...

Транзистор — Усилитель — Мощность

Транзисторы усилителя мощности Т2, Т работают поочередно. В течение первого полупериода под действием управляющего напряжения один из транзисторов, например, TI открыт и находится в насыщении, а транзистор Т2 закрыт и находится в режиме отсечки. ...

Транзистор — Шоттка

Транзистор Шоттки состоит из биполярного транзистора и диода Шоттки, подключенного параллельно коллекторному переходу. Падение напряжения на диоде Шоттки в прямом направлении меньше, чем на открытом кремниевом р-п переходе, и составляет всего 0 2 - - 0 3 В. Поэтому напряжение на коллекторном переходе не может достичь величины 0 5 В, необходимой для его прямого смещения. ...

Транзистор [эпитаксиальный]

Эпитаксиальный транзистор - транзистор, изготовленный путем напыления тонких пленок на поверхность полупроводниковой пластинки. Исходная пластинка обычно служит коллекторной областью будущего транзистора. Напыляя на одну из поверхностей этой пластинки поочередно тонкие слои подходящих веществ ( иногда в сочетании с диффузией необходимых примесей), создают слои, выполняющие роль базовой и эмиттерной областей. ...

Транзит

Транзиты вызываются в один и тот же участок основной памяти - транзитную область управляющей программы. Вся область основной памяти, занимаемая ядром и транзитами, называется областью управляющей программы. Остальная часть основной памяти образует область проблемных программ. ...

Страницы: 1 ... 14 15 16 17 18 19 20 ... 31