Конверсионные транзисторы представляют собой разновидность диффузионно-сплавных, для изготовления которых используется пластинка из германия р-типа, содержащая как донорную, так и акцепторную ( медь) примеси. При вплавлении в нее эмиттера медь диффундирует в расплавленную навеску, и в слое, примыкающем к эмиттеру, концентрация акцепторов падает. ...
Кремниевые транзисторы не имеют существенных преимуществ перед германиевыми в отношении величины температурного дрейфа, поскольку главной причиной дрейфа являются не тепловые токи, а нестабильность коэффициентов передачи тока и напряжений на переходах. ...
Германиевые и кремниевые транзисторы имеют много свойств, общих со свойствами соответствующих диодов, и к ним относятся опи-саннйе выше рекомендации. Соответствие транзистора проекту проверяется путем сопоставления его паспортных данных с величинами, предусмотренными в рабочей схеме. В первую очередь контролируются следующие максимальные величины: ток коллектора / ктах, допустимое обратное напряжение к этах ( мощность на коллекторе Рк тах, коэффициент усиления а 1 кЛ б и падение напряжения Л7К э от прямого тока при полном открытии. ...
Лавинные транзисторы предназначены для работы в режиме электрического пробоя коллекторного перехода. В зависимости от схемы включения они могут иметь управляемые S-образные ( со стороны коллектора или эмиттера) и N-образные ( со стороны базы) вольт-амперные характеристики. Использование обычных транзисторов в этом режиме принципиально возможно, но при этом не обеспечиваются необходимое быстродействие, амплитуда импульсов, стабильность и надежность. Например, одной из причин, снижающих эффективность использования обычных высокочастотных транзисторов в лавинном режиме, является значительное снижение частоты fit при росте коллекторного тока. ...
Любой транзистор будет заперт, если его эмиттер имеет более отрицательный потенциал, чем база. Таким образом, база Т3 имеет менее отрицательный потенциал, чем § миттер, так что при отпертом транзисторе 7 транзистор Tz обязательно заперт. ...
Высокочастотные маломощные транзисторы ( см. табл. 25), в том числе сплавные на предельные частоты усиления 10 и 20 Мгц ( П406 и П407 и соответствующие им сверхминиатюрные П408 и П409) и диффузионные: типов П401 - П403 с наименьшими частотами генерирования 30 - 120 Мгц. ...
Малошумящие транзисторы должны иметь [2, 4] низкие обратные токи коллекторного перехода, поэтому будем предполагать, что транзисторы удовлетворяют этому требованию. ...
Микросплавные транзисторы с однородной и диффузионной базами представляют собой конструктивное усовершенствование поверхностно-барьерного триода. Основными недостатками последнего являются малая эффективность эмиттера и высокое базовое сопротивле ние, что отражается на усилительных и частотных свойствах прибора. ...
Транзисторы микросхем включены по схеме ОЭ - ОК - ОБ. С нагрузки входного каскада ( резистор Rt) сигнал поступает на эмиттерный повторитель, выполненный на транзисторе Тг и далее через разделительный конденсатор С2 на выходной каскад. Нагруз-кой микросхемы может служить контур частотного детектора. ...
Многоколлекторный транзистор - функциональный полупроводниковый прибор, представляющий собой совокупность нескольких тринисторов. Тринисто-ры объединены в одно ыоно-литное устройство так, что две из четырех областей с чередующимся типом проводимости являются общими для всех тринисторов. В данном приборе, помимо присущего тринистору явления переключения, используются взаимодействия объемных зарядов основных и неосновных неравновесных носителей. Структура двухкол-лекторного устройства показана на рис. 11.15, а. Ее образуют два цилиндрических транзистора, имеющие общий внешний слой р-типа и общий внутренний слой л-типа. ...
Многоэмиттерные транзисторы используются и в другой схеме, приведенной на рис. 2.12. Эта схема относится к классу ТТЛ и реализует операцию И-ИЛИ: НЕ. ...
Многоэмиттерный транзистор Т1 находится в инверсном режиме включения. В силу этого транзистор Т3 надежно закрыт и находится в режиме отсечки. Насыщенный транзистор Т4, представляя собой в этом режиме эквипотенциальную точку, подсоединяет узел С схемы к заземленной точке D, закорачивая тем самым сопротивление нагрузки RH. ...
Транзисторы большой мощности имеют Рк доп свыше 3 вт. В этих транзисторах для увеличения РКДоп осуществляется непосредственный тепловой контакт коллектора с корпусом и вывод коллектора припаивается непосредственно к ножке транзистора. ...
Транзисторы малой мощности имеют очень малые размеры. Например, на кремниевой пластинке диаметром 40 мм формируется 8000 транзисторов размером 0 4 х 0 4 мм. Подобные транзисторы делаются обычно бескорпусными, и их часто применяют в микросхемах. ...
Транзистор средней мощности высокочастотный типа KT6G1A применяется в индикаторных устройствах ЭКВМ Искра. Выпускается в металлическом герметичном корпусе и имеет гибкие выводы. Эмиттер маркируется на корпусе оранжевой точкой. ...
Мощные транзисторы могут изготовляться методом планар-ной технологии, особенность которой заключается в том, что граница р - n - переходов защищена пленкой двуокиси кремния SiO2), которая обладает высокими изоляционными свойствами и обеспечивает надежность работы прибора и высокую стабильность параметров. ...