Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Уровень 1:		Уровень 2:		Уровень 3:
от: 0 -фаза до: Воздействие [сильное исключительно]		от: Кольцо[телескопическое] до: Константа [кажущаяся] — Скорость		от: Константа— Скорость— Катализируемый до: Конструкция — Изложница
от: Воздействие[сильное наиболее] до: Завод [нефтеперерабатывающий] — Союз [советский]		от: Константа— Скорость— Катализируемый до: Координация — Нагрузка		от: Конструкция— Излучатель до: Конструкция — Резервуар [железобетонный]
от: Завод[специализированный] до: Кольцо [сферическое]		от: Координация[нуклеофильная] до: Крепление — Призма		от: Конструкция— Резервуар[цилиндрический вертикальный] до: Контакт [зажимный]
от: Кольцо[телескопическое] до: Надежность [технологическая]		от: Крепление— Приспособление[подъемное] до: Лейшманиоз		от: Контакт[заземляющий] до: Контраст [хроматический]
от: Надежность— Топливоснабжение до: Паста [грубая]		от: Лейшманиоз[висцеральный] до: Мантисса — Логарифм [десятичный]		от: Контраст[цветовой] до: Контроль — Прибыльность
от: Паста[густая] до: Принтер [сетевой]		от: Мантисса[нормализованная] до: Машинка [пишущая пультовая]		от: Контроль— Прибытие— Поезд до: Контур — Раздел
от: Принтер[струйный] до: Результат — Округление		от: Машинка[пишущая электрифицированная] до: Метод — Повторение		от: Контур[раздельный] до: Конфузор [прямолинейный]
от: Результат[округленный] до: Способы — Заполнение		от: Метод— Повышение до: Механика [современная]		от: Конфуцианство до: Концентрация — Компонент [переходящий]
от: Способы— Захват до: Успех — Продукт		от: Механика— Среда[деформируемая] до: Момент — Пара — Сила		от: Концентрация— Компонент[поверхностно-активный] до: Концентрация — Цинк
от: Успех— Проект до: Ящур		от: Момент[алгебраический]— Пара— Сила до: Надежность [технологическая]		от: Концентрация— Цирконий до: Координация — Нагрузка

Концентрация — Никель ... Концентрация — Носитель [неосновной] — Заряд

Концентрация — Никель

Концентрация никеля может быть вычислена по уравнению ( 2) стр. ...

Концентрация [высокая] — Никель

Высокая концентрация никеля обес-печявает устойчивость переохлажденного аустеиита сталей этого класса, способствует формированию в них при закалке мартенситной структуры, в том числе и при условии замедленного охлаждения. Никель повышает растворимость многих элементов замещения в аустените и уменьшается растворимость в мартенсите, благодаря чему закалкой можно - зафиксировать сильно пересыщенный а-твердый раствор ( мартенсит замещения), способный к интенсивному дисперсионному твердению при старении. ...

Концентрация — Ниобий

Концентрация ниобия 0 1 мг / л тормозит БПКв разведенных сточных вод и развитие сапрофитной микрофлоры, участвующей в самоочищении водоемов. ...

Концентрация — Нитрат-ион

Концентрация нитрат-ионов в равновесной водной фазе поддерживалась приблизительно постоянной, равной 6 3 - 6 6 N, добавлением к раствору различных количеств нитрата кальция. ...

Концентрация — Нитрат

Концентрации нитратов в почве Старых Черкассов и Ивановке выше контроля, но не превышают уровень ПДК нитратов в почве. ...

Концентрация — Нитрат — Серебро

Концентрации нитрата серебра и иодида калия равны. В этом случае противоины диффузного слоя перешли в адсорбционный слой, а потому гранула лишена заряда. ...

Концентрация — Нитрит

Концентрация нитрита в растворе снижалась до нуля, а концентрация нитрата составляла 4 5 мг / кг, что соответствует требуемым нормам. ...

Концентрация — Нитрит — Натрий

Концентрация нитрита натрия в воде при защите от коррозии стального оборудования зависит от содержания в воде хлор-ионов, а именно: концентрация нитрита натрия должна в десять раз превышать содержание в воде хлорида. ...

Концентрация [ничтожная]

Ничтожные концентрации этих элементов не позволяют при современном состоянии аналитической техники выделить и идентифицировать вещества, в которые они входят. ...

Концентрация — Нмоза

Концентрация НМОз в исходном растворе и ее общий объем оказывают чрезвычайно сильное влияние на эффективность экстракции. Как наблюдалось при экстракции урана [496], передвижение по колонке примесей, особенно железа, ускоряется при более высоких концентрациях кислоты. ...

Концентрация [нормальная]

Нормальная концентрация выражается числом грамм-эквивалентов в 1 л раствора. ...

Концентрация — Носитель

Концентрация носителей в коллекторной области несколько меньше, чем в области эмиттера, но значительно больше, чем в области базы: ркрэ, РК Б - Вследствие этого с ростом отрицательного напряжения t / KB расширяется коллекторный переход и соответственно сужается база, благодаря чему уменьшается риск пробоя перехода, но повышается вероятность пробоя базы - прокол базы. Эффект сужения базы называется модуляцией базы. ...

Концентрация — Носитель [избыточный]

Концентрации избыточных носителей, накопленных в базах, велики и могут превышать 1017 см-3. При этих условиях необходимо учитывать в общем случае снижение коэффициентов инжек-ции эмиттерных переходов с ростом тока и снижение под-вижностей электронов и дырок из-за их взаимного рас-рассеяния. ...

Концентрация — Носитель [неосновной]

Концентрация неосновных носителей на коллекторном переходе равна нулю. ...

Концентрация — Носитель [неравновесный неосновной]

Концентрация неосновных неравновесных носителей у границы перехода экспоненциально зависит от величины приложенного к переходу напряжения. ...

Концентрация — Носитель [основной]

Концентрация основных носителей в слоях р и п обозначена через рр и п, а пр и рп - концентрации неосновных носителей в тех же слоях. В германиевых и кремниевых диодах создается такая высокая концентрация основных носителей, что концентра-ция неосновных носителей в соответствии с выражением (1.13) срав нительно мала. На металлургической границе раздела слоев АВ возникает в этом случае большая разность концентраций зарядов одного и того же знака. В одном слое они являются основными, а в другом - неосновными носителями. ...

Концентрация — Носитель [подвижной]

Концентрации подвижных носителей меняются не по тому же закону, что и концентрации примесей, но между двумя областями с электронной и дырочной электропроводностью обязательно должен существовать некоторый переходный слой, свойства которого отличаются от свойств дырочного и электронного полупроводников. Такая область между частями полупроводника р - и n - типов называется электронно-дырочным переходом, или p - n - переходом. Электронно-дырочный переход является составной частью большинства важнейших полупроводниковых приборов, поэтому рассмотрению его свойств мы уделим особое внимание. ...

Концентрация — Носитель [свободный]

Концентрации свободных носителей как в р -, Так и в - области весьма высоки ( Nn xPptt 1019 см-3, и, следовательно, р-п переход создается на границе вырожденных полупроводников. ...

Концентрация [высокая] — Носитель

Высокая концентрация носителей в полупроводнике может быть получена при изготовлении р-п перехода, например при диффузии Zn. Поверхностная концентрация Zn после диффузии, обычно такая высокая, что для получения омического перехода может быть использован любой металл, например золото или алюминий. Если уровень легирования полупроводника невысок, его необходимо повысить во время формирования омического перехода. Поэтому для получения омического перехода необходимо использовать сплав, содержащий легирующую примесь в металлической основе. Нанесение сплава осуществляется следующими методами: термовакуумным осаждением, электронно-лучевым испарением и гальваническим нанесением металла. После нанесения сплава производится вжигание для введения в полупроводник легирующих добавок. ...

Концентрация — Носитель — Заряд

Концентрация носителей заряда в элементарном объеме полупроводника изменяется в результате генерации и рекомбинации носителей, а также из-за различия величин токов, втекающих и вытекающих из данного объема. Как отмечалось в § 1.8, движение носителей заряда обусловлено двумя процессами: диффузией и дрейфом. Следовательно, общее количество носителей в данном объеме полупроводника определяется непрерывными физическими процессами, протекающими в нем: генерацией, рекомбинацией, диффузией и дрейфом носителей. ...

Концентрация — Носитель [неосновной] — Заряд

Концентрация неосновных носителей заряда т0 на границе эмиттера одинакова по всей площади перехода, так как она зависит от напряжения на переходе. ...