Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Уровень 1:		Уровень 2:		Уровень 3:
от: 0 -фаза до: Воздействие [сильное исключительно]		от: Способы— Захват до: Статья [текущая] — Баланс [платежный]		от: Толщина— Слой— Окись до: Топливо [указанное]
от: Воздействие[сильное наиболее] до: Завод [нефтеперерабатывающий] — Союз [советский]		от: Статья[балансовая] до: Строение — Кожа		от: Топливо[унитарное] до: Точка — Ага
от: Завод[специализированный] до: Кольцо [сферическое]		от: Строение— Коллектор до: Схватывание [интенсивное]		от: Точка[критическая]— Ага до: Точка [безусловная] — Прерывание
от: Кольцо[телескопическое] до: Надежность [технологическая]		от: Схватывание— Клей до: Теломеризация [ионная]		от: Точка[нулевая]— Прибор до: Точность — Определение — Координата
от: Надежность— Топливоснабжение до: Паста [грубая]		от: Теломеризация[конденсационная] до: Термометр [прямой]		от: Точность— Определение— Координата— Атом до: Траектория [подобная]
от: Паста[густая] до: Принтер [сетевой]		от: Термометр[рабочий] до: Толщина — Слой — Окалина		от: Траектория— Полет до: Транспортер [пластинчатый]
от: Принтер[струйный] до: Результат — Округление		от: Толщина— Слой— Окись до: Триод [входной]		от: Транспортер[пластинчатый ленточный] до: Трасса — Линия [кабельная]
от: Результат[округленный] до: Способы — Заполнение		от: Триод[высокочастотный] до: Угла [краевая] — Натекание		от: Трасса— Линия— Связь до: Трейдер [агрессивный]
от: Способы— Захват до: Успех — Продукт		от: Угла[начальная] до: Управление — Доход [внутренний]		от: Трейдер[активный] до: Три [первые] — Класс
от: Успех— Проект до: Ящур		от: Управление[единое] до: Успех — Продукт		от: Три— Кнопка до: Триод [входной]

Транзакция [короткая] ... Транзистор [выходной мощный]

Транзакция [короткая]

Короткие транзакции представляют большинство информационных задач, решаемых людьми, например, снятие наличных денег в банкомате, запись часов работы в платежном приложении или ввод медицинских записей. ...

Транзакция [текущая]

Текущая транзакция не может быть экспортирована на удаленный узел. ...

Транзистор

Транзистор характеризуется барьерной и диффузионной емкостями эмиттерного и коллекторного переходов. Барьерная емкость обусловлена наличием объемного заряда в p - n - переходах. Диффузионная емкость эмиттерного перехода обусловлена изменением заряда в базе при изменении потенциала эмиттера, а коллекторного перехода - при изменении потенциала коллектора. ...

Транзистор [аналогичный]

Аналогичные транзисторы для двухтактных каскадов УНЧ рекомендуется подбирать как при малых, так и при больших коллекторных токах. Маломощные транзисторы при определении величины Р испытывают на токи 1 - 2 и 15 - 20 ма, средней и большой мощности - на 5 - 10 и 50 - 200 ма. Следует помнить, что от тщательности подборки аналогичных транзисторов для работы в двухтактных оконечных каскадах УНЧ в основном зависит степень нелинейных искажений на выходе приемника. ...

Транзистор [бездрейфовый]

Бездрейфовые транзисторы имеют во всей базовой области одну и ту же концентрацию примеси. Вследствие этого в базе не возникает электрического поля и носители в ней совершают диффузионное движение от эмиттера к коллектору. ...

Транзистор [бескорпусной]

Бескорпусные транзисторы пленочных ИМС по своей структуре полностью аналогичны структурам биполяр-н ых или полевых транзисторов полупроводниковых ИМС. Все выводы, как и в микросхеме, выполнены на лицевой стороне кристалла. ...

Транзистор [биполярный]

Биполярные транзисторы без искажений усиливают сигналы не более 20 мВ, поэтому требования к цепи АРУ в транзисторных приемниках сравнительно жестки. Применение простых цепей АРУ возможно только в приемниках невысокого класса, тем более что в них, как правило, применяются преобразователи частоты по совмещенной схеме, подведение напряжения АРУ к которым исключается из-за нарушения режима работы гетеродина. В таких приемниках регулировкой обычно охватывается только первый каскад УПЧ. ...

Транзистор [биполярный полевой]

Полевые и биполярные транзисторы, полупроводниковые диоды в резисторы, конденсаторы и прочие электронные приборы и радиодетали часто называют элементами радиоэлектронной аппаратуры ( РЭА), или, электрорадиоэлементами, так как они составляют основу функциональных структур, реализующих обусловленные назначением аппаратуры алгоритмы формирования, преобразования, хранения, обработки и воспроизведения сигналов. ...

Транзистор — Блок

Транзисторы блока ПН-15А ( А7) питаются напряжением 9 В от комбинированного стабилизатора блока А9 либо от батареи. ...

Транзистор [быстродействующий]

Быстродействующие транзисторы n - типа в матрицах ОЗУ имеют несколько худшие показатели по скорости по сравнению с биполярными транзисторами, однако матрицы, построенные на них, имеют меньшие стоимость и рассеивающую мощность. ...

Транзистор [включенный параллельно]

Параллельно включенные транзисторы или диоды необходимо располагать на одном и том же теплоотводе, приняв меры к максимально возможному выравниванию температуры корпусов отдельных приборов. ...

Транзистор [включенный последовательно]

Последовательно включенные транзисторы Т1 - ТЗ в ИС У5 образуют схему совпадения И, а транзисторы Т2 и ТЗ одновременно выделяют импульсы опознавания. ...

Транзистор [входной]

Входной транзистор VT1, включенный по схеме с общей базой, двухэмит-терный, причем эмиттеры соединены с общим проводом питания через диоды VD1, VD2 - они защищают транзистор от случайного попадания на эмиттеры напряжения отрицательной полярности. ...

Транзистор [выбранный]

Выбранные транзисторы по мощности проходят. ...

Транзистор [высоковольтный]

Высоковольтные транзисторы ( U K3max l5Q - 2QQ В) изготавливаются обычно диффузионным способом ( так называемым способом тройной диффузии) на основе полированных пластин кремния толщиной около 200 - 250 мкм. Глубина залегания коллекторных переходов этих транзисторов не превышает обычно 15 - 25 мкм, а толщина высокоомной области коллектора WK может изменяться в интервале от 20 - 30 до 100 мкм и более. ...

Транзистор [высоковольтный мощный]

Мощные высоковольтные транзисторы предназначены в первую очередь для работы в режиме переключения характеризующемся переходом транзистора из закрытого состояния с высоким обратным напряжением в открытое состояние с большим током коллектора. Этим определяются основные требования к высоковольтным транзисторам: высокое пробивное напряжение коллектор - эмиттер, большой ток коллектора, малое падение напряжения в открытом состоянии, малая длительность переходных процессов. ...

Транзистор [высокочастотный]

Высокочастотный транзистор на входе усилителя НЧ применен для уменьшения уровня собственных шумов усилителя. В базовую цепь транзистора Г5 включен регулятор тембра Ct4 i5, который служит для коррекции частотной характеристики усилителя в области верхних звуковых частот. ...

Транзистор [высокочастотный более]

Более высокочастотный транзистор будет греться меньше, чем низкочастотный. Из ф-л (2.97), (2.98) и (3.15) видно, что мощность потерь будет тем ниже, чем выше / а транзистора. ...

Транзистор [высокочастотный мощный]

Мощные высокочастотные транзисторы имеют структуру с диффузионной базой и их выходные характеристики в области малых напряжений имеют такой вид, как показано на этих рисунках. Даже если в этих транзисторах оптимальным образом использованы встречная диффузия или эпитаксиальное выращивание, их выходные характеристики могут приблизиться к показанным на рис. 6 - 11 а только на низких частотах. На высоких частотах причины, вызывающие спад коэффициента усиления с ростом тока, проявляют себя более резко. В связи с тем что коэффициент усиления по току на высоких частотах значительно меньше, чем на постоянном токе, сильно возрастает величина базового тока. Эти причины, а также некоторые другие, еще не вполне выясненные обстоятельства приводят к тому, что на высоких частотах модуль коэффициента усиления по току р / падает с ростом тока более резко, а участок напряжений, на котором выходные характеристики не достигли насыщения, может значительно увеличиться. ...

Транзистор [выходной]

Выходные транзисторы Т и Tg соединены последовательно. ...

Транзистор [выходной мощный]

Мощный выходной транзистор в гибридных коммутаторах применяют как в корпусном, так и в бескорпусном исполнении. Однако с целью уменьшения габаритных размеров коммутатора целесообразно использовать транзисторы в пластмассовом корпусе, а не в металлическом. ...