Времена жизни активных молекул относительно дезактивации и превращения в продукты реакции зависят от значений скоростей реакций &2 1М ] [ А ] и ka ( E) [ А ], соответственно. ...
Времена жизни возбужденных молекул могут быть любые. Ограничение нужно сделать одно: концентрация молекул А должна быть достаточно мала, чтобы не было значительных перекрываний зон с обедненными концентрациями. ...
Время оседлой жизни молекулы в жидкости или твердом теле определяется величиной энергии, необходимой для перескока молекулы из одного положения в пространстве в другое. Даже в том случае, когда начальное ( до перескока) и конечное состояния молекулы энергетически одинаковы, молекуле необходимо затратить некоторую энергию для разрыва связей с соседними молекулами. ...
Среднее время жизни молекулы, воды, адсорбированной на целлюлозе, равно нескольким сотым долям секунды. Анализ зависимости Ti и Tz от содержания влаги в волокнах шелка, шерсти и найлона е17 показывает, что вода сорбируется не отдельными молекулами, а пучками - по месту активных центров. ...
Наблюдаемые времена жизни ( от 1СГ8 сек, до 1012 лет); почти все - радиоактивные ядра, многие а-радиоактивные ядра и многие ядерные изомеры, испускающие - - лучи. ...
Время жизни нейтрона, который распадается внутри ( 3-радиоактивного ядра, зависит от выбора химического элемента и может варьироваться в широком диапазоне. Время жизни свободного нейтрона вполне определенное - оно равно примерно 900 с. ...
Время жизни носителей не будет зависеть от положения уровня Ферми ( концентрации электронов), пока он не окажется вблизи от уровня ловушек, так как до этих пор все ловушки будут заполнены, и первая фаза рекомбинации будет происходить одинаково быстро. Вторая фаза рекомбинации ( заполнение ловушки электроном из зоны проводимости) происходит еще достаточно быстро. ...
Время жизни неосновных носителей в транзисторе различно для различных объемов транзистора, таких, как активная область базы, пассивная, периферийная или соединительная область базы; тело коллектора. ...
Время жизни неравновесных носителей ограничено - постепенно их концентрация уменьшается как за счет рекомбинации, так и за счет ухода через р-п переход. Поэтому через некоторое время ( т на рис. 6.11, в) неравновесные неосновные носители исчезнут; обратный ток восстановится до нормального значения / Обр. ...
Время жизни носителей заряда не является постоянным параметром полупроводника, так как оно зависит от концентрации неравновесных носителей заряда, температуры, концентрации примесей и дефектов решетки. ...
Время жизни неосновных носителей заряда, инжектируемых в кристалл ПП ( т), в сильной степени зависит от концентрации ловушек ( см. Рекомбинация носителей заряда), к-рыми носители захватываются и перестают участвовать в проводимости. При очень высоких уровнях инжокции может наступить насыщение ловушек, вследствие чего т увеличится: соответственно возрастает и электропроводность кристалла. ...
Время жизни носителей тока в полупроводниках - электронов и дырок ограничено. Такая рекомбинация электрона и дырки приводит к исчезновению обоих носителей тока. Среднее время жизни свободных носителей тока зависит от многих причин. При данных условиях постоянная концентрация носителей есть результат динамического равновесия: число образующихся пар носителей равно числу рекомбинирующих пар. ...
Время жизни неосновных носителей тока в InSb столь мало, что обычные методы непосредственного измерения этого параметра оказываются непригодными и поэтому приходится пользоваться косвенными средствами, как, например, методом компенсации фотомагнитного эффекта фотопроводимостью ( см. гл. ...
Эффективные времена жизни носителей в базах тб1 и тб2 учитывают наличие объемной и поверхностной рекомбинаций основных носителей и уход их через эмиперные переходы при уг 1 и у3 1, а также влияние ускоряющих полей, возникающих в базовых областях благодаря градиенту концентрации примесей. ...
Объемное время жизни уменьшается с ростом плотности дефектов решетки. Увеличение концентрации примесей в полупроводнике также; уменьшает тоб. Максимальное значение тоб имеет собственный полупроводник. ...
Время жизни пары неравновесных электрона и дырки определяется только временем захвата электронов - тп0 - неосновных носителей заряда в дырбчном полупроводнике. Как только неосновной носитель заряда захвачен рекомбинационной ловушкой, в тот же момент захватывается один из основных носителей заряда, концентрация которых велика. ...
Времена жизни позитронов т и Т2 в субмикрокристаллических металлах Си, Pd, Ni ( табл. 4.1) по величине близки к значениям TI и Т2 для соответствующих нанокристаллических металлов. ...
Полное время жизни т электронных уровней, участвующих в лазерном переходе, равно т 1 / ( т - т -) 9 ис, где rs 100 не и тр 10 ис - времена жизни s - и р-состояиий ( см. разд. Ширина лэмбовского провала порядка ширины линии, обусловленной столкиовительиым уширеиием, выражение для которого дано в разд. ...