Большая Энциклопедия Нефти и Газа

Уровень 1:		Уровень 2:		Уровень 3:
от: 0 -фаза до: Воздействие [сильное исключительно]		от: Способы— Захват до: Статья [текущая] — Баланс [платежный]		от: Толщина— Слой— Окись до: Топливо [указанное]
от: Воздействие[сильное наиболее] до: Завод [нефтеперерабатывающий] — Союз [советский]		от: Статья[балансовая] до: Строение — Кожа		от: Топливо[унитарное] до: Точка — Ага
от: Завод[специализированный] до: Кольцо [сферическое]		от: Строение— Коллектор до: Схватывание [интенсивное]		от: Точка[критическая]— Ага до: Точка [безусловная] — Прерывание
от: Кольцо[телескопическое] до: Надежность [технологическая]		от: Схватывание— Клей до: Теломеризация [ионная]		от: Точка[нулевая]— Прибор до: Точность — Определение — Координата
от: Надежность— Топливоснабжение до: Паста [грубая]		от: Теломеризация[конденсационная] до: Термометр [прямой]		от: Точность— Определение— Координата— Атом до: Траектория [подобная]
от: Паста[густая] до: Принтер [сетевой]		от: Термометр[рабочий] до: Толщина — Слой — Окалина		от: Траектория— Полет до: Транспортер [пластинчатый]
от: Принтер[струйный] до: Результат — Округление		от: Толщина— Слой— Окись до: Триод [входной]		от: Транспортер[пластинчатый ленточный] до: Трасса — Линия [кабельная]
от: Результат[округленный] до: Способы — Заполнение		от: Триод[высокочастотный] до: Угла [краевая] — Натекание		от: Трасса— Линия— Связь до: Трейдер [агрессивный]
от: Способы— Захват до: Успех — Продукт		от: Угла[начальная] до: Управление — Доход [внутренний]		от: Трейдер[активный] до: Три [первые] — Класс
от: Успех— Проект до: Ящур		от: Управление[единое] до: Успех — Продукт		от: Три— Кнопка до: Триод [входной]

Транзистор [низкочастотный] ... Транзистор [полевой тонкопленочный]

Транзистор [низкочастотный]

Низкочастотные транзисторы, имеющие большое время пролета т, менее склонны к генерации, так как пороговое значение емкостной нагрузки, вызывающее генерацию, получается у них соответственно выше. ...

Транзистор [низкочастотный маломощный]

Маломощный низкочастотный транзистор ГТ109 ( структуры р-п - р) имеет в диаметре всего 3 4 мм, его масса 0 1 г. Транзисторы этой серии предназначены для миниатюрных радиовещательных приемников. Их используют также в слуховых аппаратах, в электронных медицинских приборах. Диаметр транзисторов ГТ309 ( р-п - р) 7 4 мм, масса 0 5 г. Такие транзисторы применяют в различных малогабаритных электронных устройствах для усиления и генерирования колебаний высокой частоты. Транзисторы КТЗ 15 ( n - p - п) выпускают в пластмассовых корпусах. Размеры корпуса 7x9x3 мм, масса 0 2 г. Эти маломощные транзисторы предназначены для усиления и генерирования колебаний высокой частоты. ...

Транзистор [обычный]

Обычный транзистор ( рис. 5.60, а) получают последовательным введением легирующих примесей через окно в двуокись кремния, причем благодаря дозированию времени фронт диффузии проникает на глубину, меньшую глубины островка. ...

Транзистор [однопереходный]

Однопереходные транзисторы используют обычно в качестве ключевых элементов в генераторах релаксационных колебаний. ...

Транзистор [оконечный]

Оконечные транзисторы должны быть укреплены на теплоотво-дящей пластине достаточных размеров. Температура полупроводникового перехода транзисторов ни в коем случае не должна превышать 155 С. ...

Транзистор [основной]

Пока основной транзистор работает в активной области семейства выходных характеристик ( или в области отсечки), его коллекторный переход смещен в обратном направлении, а паразитный транзистор выключен. ...

Транзистор [остальной]

Остальные транзисторы выбирают маломощными. Если в качестве 7 выбирают составной транзистор, то его составляют из маломощного входного и средней мощности выходного транзисторов. ...

Транзистор [открывающийся]

Открывающийся транзистор не должен быть насыщен, иначе он практически закоротит выход схемы. При выполнении этого условия открывающийся триод лишь дополнительно шунтирует контур - потери в нем возрастают, режим переходит из критического в апериодический, - в результате чего импульс растягивается и амплитуда его становится меньше. ...

Транзистор [открытый]

Открытый транзистор Т, подключает нижний вход конъюнктора к нулевому потенциалу, создавая на нем и на выходе конъюнктора сигнал логического нуля. Таким образом, задавая триггеру Т, состояние логического нуля, а остальным триггерам состояние логической единицы, можно обеспечить закрытое состояние транзистора Т, и открытое состояние всех других транзисторов, что означает подключение выхода ФБ к / - й вертикальной линии ПМС с образованием так называемого непрерывного соединения. ...

Транзистор [паразитный]

Паразитный транзистор имеет коэффициент р 0 6 - i - 5 в зависимости от толщины базы и может усиливать любые токи утечки. Он действует как шунт между резистором и подложкой. Поэтому с целью предотвращения влияния паразитного транзистора слой п-типа подключают к самому высокому положительному потенциалу схемы. ...

Транзистор [парной]

Парные транзисторы, состоящие из двух отдельных кремниевых эпитаксиально-планарных n - p - п транзисторов с раздельными выводами. ...

Транзистор [первый]

Первый транзистор Т1 включен как ра щелнтсльный каскад, который ограничивает влияние изменения выходтм о сопротивления предыдущих схем внешних устройств на последующие. Второй усилитель включен как разностный усилитель. Соотношение сопротивления резистора Л5 и выходного сопротивления цепи дискретизации определяет величину результирующего сигнала, а значит, и экспандирования. ...

Транзистор [переключающий]

Переключающий транзистор ТА управляет работой селекторной лампы, находящейся в индикаторном устройстве. ...

Транзистор [планарный]

Планарный транзистор состоит из полупроводниковой пластинки, в которую проводится диффузия примесей р - и n - типа из газовой фазы для того, чтобы образовать в исходном полупроводниковом материале два р - n перехода так, как это имеет место в случае транзистора с диффузионными эмиттером и базой. ...

Транзистор [пленарный]

Пленарные транзисторы выпускаются на большие мощности ( Липа 5 Вт) при сравнительно высоких fa ( десятки МГц), а также на малые мощности ( до 1 Вт) при f порядка 500 МГц. Структура планарного транзистора приведена на рис. 4.21. Здесь 1 - пленка окисла; 2, 3 - выводы базы и эмиттера соответственно. Участки эмиттерной ( n - типа) и базовой ( р-типа) областей, выходящие на поверхность кристалла, металлизированы напылением тонкой пленки из алюминия и других металлов. Токоотводы от эмиттера и базы осуществляются с помощью тонких золотых проволочек, присоединяемых к металлизированным площадкам с помощью термокомпрессии. Границы p - n - перехода, выходящие на поверхность кристалла, защищены пленкой окисла, обладающей хорошими защитными свойствами. Это повышает надежность работы прибора. ...

Транзистор [пленочный]

Пленочные транзисторы на горячих электронах находятся в настоящее время в стадии лабораторных исследований. Их изготовление может быть осуществлено после решения следующих задач: обеспечение контроля высот потенциальных барьеров эмиттер - база и база - коллектор, создание методов получения сплошных сверхтонких металлических пленок на поверхности пленки полупроводника и точного контроля их толщины, а также разработки методов получения эффективных коллекторов. ...

Транзистор [плоскостной]

Плоскостные транзисторы классифицируются по ряду приз-накос. ...

Транзистор [поверхностно-барьерный]

Поверхностно-барьерный транзистор - транзистор, изготовленный электрохимическим, методом, суть которого состоит в следующем. ...

Транзистор [полевой кремниевый]

Кремниевые полевые транзисторы КП103 ( Е, Ж, И, К, Л, М) имеют p - n - переход и канал р-типа и выпускаются в металлическом или пластмассовом корпусе ( рис. 72, а-в) массой 1 г, с диапазоном рабочих температур от - 55 до 85 С. ...

Транзистор [полевой мощный]

Мощные полевые транзисторы имеют короткие каналы, обеспечивающие насыщение скорости носителей благодаря сильному электрическому полю, создаваемому напряжением стока. Поскольку силовая крутизна S пропорциональна скорости движения носителей заряда, в области малых токов наблюдается ее рост с увеличением выходного тока. Затем наступает насыщение крутизны, при котором смещение в цепи затвора и увеличение тока стока не вызывают дальнейшего роста параметра S. Данное свойство обеспечивает устойчивость полевых транзисторов к токовым перегрузкам по сравнению с биполярными аналогами. ...

Транзистор [полевой тонкопленочный]

Тонкопленочные полевые транзисторы с МОП-структурой были изготовлены на основе поликристаллических пленок кремния толщиной - 0 3 - 1 0 мк. Подзатворный диэлектрик толщиной 4800 А был нанесен методом химического осаждения при 400 С. Области стока и истока были созданы путем имплантации и последующего отжига. Затворный электрод и контакты были созданы напылением алюминия. ...